POL電源試驗與應用

上兩期文章中，分別介紹了POL電源的基礎入門知識與POL電源的技術趨勢。那么在本期文章中會介紹一下在進行POL電源的研究開發時會進行的瞬態響應試驗。以及菊水產品相關的一些應用。

瞬態響應試驗

瞬態響應試驗不僅是對POL電源來說是個重要特性，對于電源來說也是十分重要的一個特性。特別是對于連接到低壓CPU與FPGA等的POL電源尤其重要。

POL電源的瞬態響應試驗一般是確認當脈沖狀的電流產生時所發生的電壓變化，可以參考下圖。

通過瞬態響應試驗，可以確認CPU與PFGA在快速輸入電流變動時，POL電源的恒壓能力。

菊水產品應用

在瞬態響應試驗中，要求對POL電源進行各種試驗要求。在進行各類試驗時，雖然可以通過測試多個CPU與FPGA來驗證，但是由于需要根據每個試驗條件去改變這些設備的連接，或者是為改變處理的設定而每次進行調整等，所以并不是十分現實。

在此類情況下，電子負載裝置可以通過在任意時間間隔內改變輸入電流來進行模擬。其操作不僅可以直接在前面板進行，還可在PC上進行遠程操作。所以十分適合瞬態響應試驗。

而作為菊水的電子負載裝置產品，PLZ-5W系列的開關功能正是可以對應瞬態響應試驗的功能。

PLZ-5W單機的低電壓運作

一般的電子負載在低壓部分有衰減流動電流的區域，在POL電源這類的低電壓電源的試驗中使用時會產生問題。下圖為一般電子負載的簡易輸入電路。通過功率器件、運算放大器與電流檢測電阻實現恒流電路，并通過控制該恒流電路實現恒流模式、恒壓模式、恒阻模式等。

MOS-FET通常是電子負載的重要功率器件。擁有一個ON電阻，ON電阻是可實現MOS-FET的Min電阻值。也就是電子負載的輸入電路的Min電阻值是MOS-FET的ON電阻與電流感應電阻的和。因此，即使在負載端子的電壓非常低但想要流過大電流時，會由于輸入電路的電阻值有下限，而導致超過一定數值的電流無法流過。下圖右側的圖標與公式表示了這一點，在低電壓下，負載電流與施加的電流成比例關系。

另外，需要注意的是，即使動力裝置使用的不是MOS-FET而是雙極晶體管，在低電壓時也會有像恒阻一樣的動作區域，因此會引起可流動Max電流的衰減。在下圖中顯示的區域被稱為飽和區域，在這個區域中，晶體管會呈現恒壓運作，因此會引起低電壓時可流動Max電流的衰減。

以上就是本期文章的所有內容了。在本篇內容中有講解到電子負載在低壓部分有電流的衰減區域，所以菊水的電子負載裝置PLZ-5W系列也包含了這個區域。在下期的文章中，會為大家介紹一下PLZ-5W系列的運作區域，還會為大家展示一些實際的產品試驗操作。

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本文來源于KIKUSUI菊水

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